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牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra
名稱(chēng)：其他儀器與工具
品牌：
型號(hào)：
簡(jiǎn)介：牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。 電極的適用溫度范圍寬，-1...
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- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
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電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C
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兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
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快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
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購(gòu)置成本低且易于維護(hù)
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緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活
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實(shí)時(shí)清洗和終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra特征
- 牛津儀器的PlasmaPro 100系列具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力。該工藝模式可提供出色的均勻性，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
- 通過(guò)均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底 - 在維持低氣壓的同時(shí)，允許使用較高的氣體通量
- 高度可變的下電極 - 充分利用等離子體的三維特性，在適合的高度條件下，襯底厚度最大可達(dá)10mm
- 電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過(guò)液氮，液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱 - 可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換
- 由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電極 - 出色的襯底溫度控制
- 射頻功率加載在噴頭上，同時(shí)優(yōu)化氣體輸送 - 提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應(yīng)力
- ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm - 確保最大200mm晶圓的工藝均勻性
- 高抽氣能力 - 提供了更寬的工藝氣壓窗口
- 晶圓壓盤(pán)與背氦制冷 - 更適合的晶片溫度控制
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra應(yīng)用
- III-V族材料的刻蝕工藝
- 固體激光器InP刻蝕
- VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
- 射頻器件低損傷GaN刻蝕
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 類(lèi)金剛石（DLC）沉積
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
- 沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個(gè)射頻發(fā)生器獨(dú)立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點(diǎn)
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
- 精準(zhǔn)的襯底直流偏壓控制
- 精準(zhǔn)的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來(lái)實(shí)現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實(shí)現(xiàn)對(duì)選擇比和損傷的控制
- 獨(dú)立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制, 從而實(shí)現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時(shí)仍具有高離子密度，這樣可以改善對(duì)外形的控制
- 化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
- 也可以在RIE模式下運(yùn)行，以滿(mǎn)足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導(dǎo)通的泵送端口可提供高氣體流量，以實(shí)現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對(duì)器件的電學(xué)損傷，以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
- 標(biāo)準(zhǔn)化的晶圓壓盤(pán)與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時(shí)可以選擇更寬的溫度范圍
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