關(guān)于我們
湖南省長(zhǎng)沙市車站北路湘域智慧南塔6樓
安徽省合肥市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)大道110號(hào)新材料園F9A號(hào)樓511室
0731-84284278
0731-84284278
service@hncsw.net
0731-84284278
牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD
名稱：其他儀器與工具
品牌：
型號(hào)：
簡(jiǎn)介：牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點(diǎn) 更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝 高質(zhì)量薄膜 電極的適用溫度范圍寬 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓 快速更換不同尺寸晶圓 購(gòu)置成本低且易于維護(hù) 緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活 電阻絲加熱電...
申請(qǐng)服務(wù)
- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點(diǎn)
-
更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝
-
高質(zhì)量薄膜
-
電極的適用溫度范圍寬
-
兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
-
快速更換不同尺寸晶圓
-
購(gòu)置成本低且易于維護(hù)
-
緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活
-
電阻絲加熱電極，最高溫度可達(dá)400°C或1200°C
-
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝
牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD應(yīng)用
- 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
- 可沉積的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，襯底溫度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
- 晶圓尺寸高至200mm
- 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
- 已獲得專利的ICPCVD氣體配送技術(shù)
- 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝
最新產(chǎn)品
相關(guān)產(chǎn)品
