同惠 TH530-25100 半導體器件雪崩能量測試儀
名稱：物性分析測試儀器
品牌：同惠
型號：TH530-25100
簡介：單通道和雙通道 N/P 或組合器件測試（MOSFET、IGBT 以及二極管），可測試高達 2500V 雪崩電壓、200A 峰值電流等級設備支持單脈沖雪崩測試（EAS）、重復雪崩能量測試（EAR）、重復脈沖至失效測試（RPF）高速校準 DAC...
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- 產(chǎn)品介紹
單通道和雙通道 N/P 或組合器件測試（MOSFET、IGBT 以及二極管），可測試高達 2500V 雪崩電壓、200A 峰值電流等級設備
支持單脈沖雪崩測試（EAS）、重復雪崩能量測試（EAR）、重復脈沖至失效測試（RPF）
高速校準 DAC 可提升測試精度
用戶可調(diào)節(jié)的電源電壓（10V 至 150V）穩(wěn)定可靠
漏極、源極接觸檢查電路可檢測 20Ω 以下的接觸電阻，提供報錯提示（LED）
可設柵極驅(qū)動電壓（最大電壓差：30V，最大電壓值：28V）適應不同被測件所需
可在雪崩前、雪崩后進行可調(diào)值的泄漏測試，以確定被測件當前狀態(tài)
高速固態(tài)開關，帶故障檢測功能
高精度的電流和電壓波形捕捉以及雪崩持續(xù)時間捕捉
7 寸 24 位色 TF LCD 電容式觸摸屏，中英文可選操作界面，用于單機操作、輸入測試規(guī)格以及提供測試數(shù)據(jù)顯示
提供指令用于用戶將屏幕信息存儲于 U 盤
儀器有開機自檢和在線自檢功能，為用戶排查儀器內(nèi)部故障問題
配備簡單自動校準程序，用戶可現(xiàn)場進行校準
配備多種接口：用于遠程測試控制的 GPIB 接口、前后面板各配備一個的高速串行接口、支持高速傳輸數(shù)據(jù)的 LAN 口。LAN 口不僅可用于遠程測試控制，在用戶需要觀測即時測試波形時，可使用 LAN 口搭配上位機程序查看每一次的波形數(shù)據(jù)
可與 TH530-01（需另外購買）可編程電感負載箱（0.01 至 159.9mH）或外部電感器配合使用
可外接示波器觸發(fā)器輸出，同步可視化雪崩測試過程，用于準確測量雪崩時間
標配接口
RS232、USB HOST、LAN、HANDLER
物理參數(shù)
體積（mm）：350 (W)×122 (H)×425 (D)
凈重：約 50 kg
應用
功率半導體的研發(fā)與制造評估半導體器件的雪崩耐量，確保其能承受電路中感性負載關斷時產(chǎn)生的高壓尖峰，保證出廠質(zhì)量的可靠性。例如：IGBT、MOSFET、功率二極管。
電源設備設計與驗證驗證設備在輸出短路等異常情況下，功率器件是否能承受因初級電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如：開關電源、逆變器等設備的功率器件。
新能源汽車與工業(yè)驅(qū)動確保器件能應對電機啟動、堵轉等特殊工況下感性負載產(chǎn)生沖擊電流和電壓尖峰，確保系統(tǒng)安全。例如：電機控制器（如變頻器、伺服驅(qū)動器）中功率開關器件。
| 型號 | TH530-25100A | TH530-25100B |
|---|---|---|
| 雪崩電壓 | 2500V | 2500V |
| 峰值電流 | 100A | 100A |
| 通道數(shù) | 1 | 2 |
| 輸出能量限制 | 1mJ 至 0.00495*VDD 2 mJ | 1mJ 至 0.00495*VDD 2 mJ |
| 負載電感范圍 | 0.01mH 至 159.9mH，其中 0.01mH 至 10.0mH，步長為 0.01mH；0.02mH 至 159.9mH，步長為 0.1mH | 0.01mH 至 159.9mH，其中 0.01mH 至 10.0mH，步長為 0.01mH；0.02mH 至 159.9mH，步長為 0.1mH |
| 電流傳感器類型 | 霍爾傳感器 | 霍爾傳感器 |
| 峰值電流范圍 | 0.1-200A，步進為 0.1A | 0.1-200A，步進為 0.1A |
| 漏極電壓范圍 | ±(10-150) V（N 或 P 溝道），步進 0.1V | ±(10-150) V（N 或 P 溝道），步進 0.1V |
| 額定電壓范圍 | 10-2500V，步進為 1V | 10-2500V，步進為 1V |
| 柵極導通電壓范圍 | ±(2-28) V（N 或 P 溝道），步進為 0.1V | ±(2-28) V（N 或 P 溝道），步進為 0.1V |
| 柵極關斷電壓范圍 | 0 至 (28V - 柵極導通電壓)，步進為 0.1V | 0 至 (28V - 柵極導通電壓)，步進為 0.1V |
| 泄漏測試（雪崩前、雪崩后） | 2 至 (設定漏極電壓 -2) V | 2 至 (設定漏極電壓 -2) V |
| 柵極條件 | 柵極驅(qū)動電阻：25Ω；柵極電壓精度：(-28V±0.5V) 至 (28V±0.5V)；柵極脈沖時間小于 1ms | 柵極驅(qū)動電阻：25Ω；柵極電壓精度：(-28V±0.5V) 至 (28V±0.5V)；柵極脈沖時間小于 1ms |
| 交流電壓輸入 | 105 至 125VAC 和 210 至 250VAC 50/60 Hz 可選 | 105 至 125VAC 和 210 至 250VAC 50/60 Hz 可選 |
| 波形捕捉和分析 | 波形數(shù)據(jù)可在液晶屏幕上顯示 | 波形數(shù)據(jù)可在液晶屏幕上顯示 |
| 設備類型 | N、P 溝道 MOSFET、IGBT、二極管 | N、P 溝道 MOSFET、IGBT、二極管 |
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